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参数目录41028
> SI1473DH-T1-E3 MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6
型号:
SI1473DH-T1-E3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SI1473DH-T1-E3 PDF
产品目录绘图
DL-T1-E3 Series SOT-363
标准包装
1
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
100 毫欧 @ 2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
6.2nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
365pF @ 15V
功率 - 最大
2.78W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装
SC-70-6
包装
剪切带 (CT)
其它名称
SI1473DH-T1-E3CT
查看SI1473DH-T1-E3代理商
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